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DMN10H220LDV	文件：568.37 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features  100 Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive ap 文件：568.37 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LDV-13	文件：568.37 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1H2；Package：PowerDI3333-8；DUAL 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features  100 Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive ap 文件：568.37 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LDV-7	文件：568.37 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1H2；Package：PowerDI3333-8；DUAL 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features  100 Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive ap 文件：568.37 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LDV	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
1.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
270 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7.3 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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