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DMN10H170SVT	文件：521.13 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：521.13 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVT_15	文件：521.13 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：521.13 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVT-13	文件：521.13 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：521.13 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVT-13	文件：521.13 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：521.13 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVT-7	文件：521.13 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：521.13 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVT-7	文件：521.13 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：521.13 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVTQ	文件：504.76 Kbytes Page：8 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：504.76 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVTQ-13	文件：504.76 Kbytes Page：8 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：504.76 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVTQ-7	文件：504.76 Kbytes Page：8 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：504.76 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low Gate Threshold Voltage\n\t\n\t\tLow Input Capacitance\n\t\n\t\tFast Switching Speed\n\t\n\t\tTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN10H170SVTQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.6 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
160 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
9.7 nC
Packages：
TSOT26

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更多DMN10H170SVT供应商更新时间2025-10-10 18:26:00

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