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DMN10H170SFDE	文件：438.84 Kbytes Page：6 Pages	Halogen and Antimony Free. ?쏥reen??Device (Note 3) 文件：438.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFDE_15	文件：438.84 Kbytes Page：6 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：438.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFDE-13	文件：438.84 Kbytes Page：6 Pages	Halogen and Antimony Free. ?쏥reen??Device (Note 3) 文件：438.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFDE-13	文件：438.84 Kbytes Page：6 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：438.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFDE-7	文件：438.84 Kbytes Page：6 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：438.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFDE-7	文件：438.84 Kbytes Page：6 Pages	Halogen and Antimony Free. ?쏥reen??Device (Note 3) 文件：438.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFDE	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\n\t\n\t\tPCB Footprint of 4mm2\n\t\n\t\tLow On-Resistance\n\t\n\t\tTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.9 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
160 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
9.7 nC
Packages：
U-DFN2020-6

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