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DMN1033UCB4

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:289.85 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN1033UCB4

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

DMN1033UCB4_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:289.85 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN10H120SFG

DIODES INC

DIODES INC

DMN2011UFDE-7

DIODES/美台
U-DFN2020-6

DIODES/美台

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    N/A

  • VDS:

    12 V

  • VGS:

    6 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    5.5 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.45 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    26 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    31 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    33 mΩ

  • VGS (th) Max:

    0.7 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    37 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    U-WLB1818-4

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更多DMN1033UCB4供应商 更新时间2025-10-8 11:01:00