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DMN1029UFDB

N-CHANNEAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:449.84 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN1029UFDB-13

N-CHANNEAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1029UFDB-7

N-CHANNEAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1029UFDB

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    12 V

  • VGS:

    N/A ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    5.6 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.4 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    29 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    44 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    10.5 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    U-DFN2020-6 (Type B)

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更多DMN1029UFDB供应商 更新时间2025-12-13 14:13:00