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DMN1017UCP3	文件：367.21 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：367.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1017UCP3	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. Using Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(ON) per footprint area. TR-MOS Technology with the Lowest RDS(ON):\nRDS(ON) = 14.1mΩ to Minimize On-State Losses\nCSP with Footprint 1.0mm × 1.0mm\nHeight = 0.29mm for Low Profile;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN1017UCP3-7	文件：367.21 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：367.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1032UCB4-7	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODESINC 上传：深圳市三芯电子有限公司	DIODESINC
DMN10H120SFG	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODES INC 上传：天津市博通航睿技术有限公司	DIODES INC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.47 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
21 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
30 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X3-DSN1010-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN1017UCP3供应商更新时间2025-12-1 11:01:00

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