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DMN1014UFDF	文件：500.39 Kbytes Page：8 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring spe 文件：500.39 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1014UFDF-13	文件：500.39 Kbytes Page：8 Pages	丝印：14；Package：U-DFN2020-6；12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring spe 文件：500.39 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1014UFDF-7	文件：500.39 Kbytes Page：8 Pages	丝印：14；Package：U-DFN2020-6；12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring spe 文件：500.39 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1014UFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN1014UFDF供应商更新时间2025-10-16 14:00:00

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