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DMMT5401-TP	文件：83.7 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors Features • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Ultra-small Surface Mount Package • Epitaxial Planar Die Construction • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1 • Marking:K4S 文件：83.7 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
DW5401	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS 文件：5.88919 Mbytes 页数：24 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DXT5401	文件：238.29 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Pinning 1 = Base 2 = Collector 3 = Emitter 文件：238.29 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
DXT5401	文件：126.26 Kbytes Page：5 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -150V • IC = -600mA high Collector Current • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Complementary NPN Type: DXT5551 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Applications 文件：126.26 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
DMMT5401-TP
功能描述：
TRANSISTOR PNP 200MA 150V SOT363
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
2 NPN（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
600mV @ 5mA，100mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
200 @ 2mA，5V 功率 -
最大：
250mW 频率 -
转换：
250MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000747402

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