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DMJ70H1D3SI3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HV MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses Are Minimized\nAdvanced Technology for AC-DC Converters;

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美台半导体

DMJ70H1D3SI3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:419.45 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DML3006LFDS-7

DFN2020-8

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美台半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

DML3006LFDS-7

DFN2020-8

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美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

DMM-B-11A

技术参数

  • AutomotiveCompliantPPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESDDiodes:

    No

  • VDS:

    700V

  • VGS:

    30±V

  • IDS@TA=+25°C:

    4.6A

  • PD@TA=+25°C:

    41W

  • RDS(ON)Max@VGS(10V):

    1.3mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V):

    N/AmΩ

  • VGS(th)Max:

    4V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC):

    N/AnC

  • QGTyp@VGS=10V(nC):

    13.9nC

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更多DMJ70H1D3SI3供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00