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DMHT6016LFJ	文件：417.83 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE 文件：417.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMHT6016LFJ-13	文件：417.83 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE 文件：417.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMHT6016LFJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE This new generation complementary MOSFET H-Bridge features low on-resistance achievable with low gate drive. Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6016LFDF	文件：423.66 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：423.66 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6016LPS	文件：645.16 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：645.16 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6016LSS	文件：307.91 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：307.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.6 A
PD @ TA = +25°C：
2.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
17 nC
Packages：
V-DFN5045-12 (Type B)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMHT6016LFJ供应商更新时间2025-12-21 9:02:00

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