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ETA9640	文件：214.43 Kbytes Page：1 Pages	5V/1ASynchronousBoostwith1ALinearChargerforPowerBank	ETAETA SOLUTIONS CO. LIMITED 钰泰半导体钰泰半导体股份有限公司	ETA
IRF9640	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9640	文件：170.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-11A) VDSS=-200V RDS(on)=0.50Ohm ID=-11A	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640	文件：63.94 Kbytes Page：7 Pages	11A,200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9640	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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IRF9640	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF9640	文件：158.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutparts	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
DMG9640T
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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