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DMG8822UTS

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMG8822UTS_15

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMG8822UTS-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMG8822UTS

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    4.9 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.87 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    25 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    29 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    37 mΩ

  • VGS (th) Max:

    0.9 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    9.6 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    TSSOP-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMG8822UTS供应商 更新时间2025-10-14 9:05:00