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DMG8601UFG

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:177.39 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMG8601UFG_15

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:163.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMG8601UFG-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:177.39 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMG8601UFG

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    6.1 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.92 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    23 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    27 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    34 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.05 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    8.8 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    U-DFN3030-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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SOT26
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U-DFN3030-8
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22+
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更多DMG8601UFG供应商 更新时间2026-1-28 15:01:00