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DMG7430LFGQ	文件：428.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features • Low RDS(on) – Ensures On State Losses Are Minimized • 100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production – Ensures More Reliable And Robust End Application • Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products • Occupies Just 33 of The Board Area Occ 文件：428.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG7430LFGQ-13	文件：428.12 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G73；Package：PowerDI3333-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features • Low RDS(on) – Ensures On State Losses Are Minimized • 100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production – Ensures More Reliable And Robust End Application • Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products • Occupies Just 33 of The Board Area Occ 文件：428.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG7430LFGQ-7	文件：428.12 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G73；Package：PowerDI3333-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features • Low RDS(on) – Ensures On State Losses Are Minimized • 100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production – Ensures More Reliable And Robust End Application • Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products • Occupies Just 33 of The Board Area Occ 文件：428.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG7430LFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Low RDS(ON) – Ensures On State Losses Are Minimized\n•100% Unclamped Inductive Switching, Test in Production – Ensures More Reliable And Robust End Application\n•Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\n•Occupies Just 33% of The Board Area Occupied ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.5 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.2 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
15 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
CISS Typ：
1281 pF
CISS Condition [@VDS]：
15 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
12.5 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
26.7 nC
Packages：
PowerDI3333-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	DMG7430LFGQ-13	DIODES/美台	23+	NA	12730	原装正品代理渠道价格优势	询价
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更多DMG7430LFGQ供应商更新时间2026-2-2 16:00:00

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