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DMG6968UQ	文件：831.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: Applications  Power management functions  DC-DC converters  Motor controls Features  Low On-Resistance  Lo 文件：831.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6968UQ-7	文件：831.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: Applications  Power management functions  DC-DC converters  Motor controls Features  Low On-Resistance  Lo 文件：831.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6968UQ-7	文件：175.63 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：175.63 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6968UQ-7	文件：502.89 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：502.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6968UQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Low-Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•ESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
29 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
36 mΩ
VGS (th) Max：
0.9 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
10 nC
Packages：
SOT23

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更多DMG6968UQ供应商更新时间2025-12-22 20:20:00

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