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DMG6602SVT	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6602SVT	文件：1.1316 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
DMG6602SVT_15	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6602SVT-7	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6602SVTQ	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6602SVTQ_15	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6602SVTQ-13	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG6602SVTQ-7	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
6602	文件：175.77 Kbytes Page：3 Pages	PHASESHIFTERDCTO2,4AND8GHz,COAXIALHIGHPOWER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
6602	文件：148.09 Kbytes Page：3 Pages	PHASESHIFTERDCTO2,4AND8GHZ,COAXIALHIGHPOWER FEATURES •TypeNConnectorsStandard •OptionsfromDCto8Ghz •HighPower,TromboneStyleCoaxialStructure •MilitaryGradeMaterialsandProcessing •-40to+125ºCOperatingTemperatureRange	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
ACE6602B	文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE6602BPN+H	文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ADRF6602	文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6602	文件：504.01 Kbytes Page：24 Pages	2100MHzto2600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6602	文件：517.82 Kbytes Page：24 Pages	1550MHzto2150MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6602-EVALZ	文件：517.82 Kbytes Page：24 Pages	1550MHzto2150MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM6602	文件：883.14 Kbytes Page：12 Pages	DUALENHANCEMENTMODEMOSFET(N-ANDP-CHANNEL) DESCRIPTION AM6602isavailableinaSOT-26package. FEATURES N-Channel 30V/4.9A, RDS(ON)=39mΩ(max.)@VGS=10V RDS(ON)=68mΩ(max.)@VGS=4.5V P-Channel -30V/-3A, RDS(ON)=100mΩ(max.)@VGS=-10V RDS(ON)=170mΩ(max.)@VGS=-4.5V ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvai	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AN-6602	文件：803.49 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseJFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AO6602	文件：327.64 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6602	文件：2.04101 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel ●VDS(V)=30V ●ID=3.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
DMG6602S
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
MOSFET NP CH COM PAIR 30V TSOT23
功能描述：
MOSFET, NP CH, COM PAIR, 30V, TSOT23
功能描述：
MOSFET, NP CH, COM PAIR, 30V, TSOT23; Transistor
Polarity：
N and P Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.4A; Drain Source Voltage
Vds：
30V; On Resistance
Rds(on)：
0.038ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
1.12W ;RoHS
Compliant：
Yes

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