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DMG4N60SJ3

Low On-Resistance

文件:669.24 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMG4N60SJ3

丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:317.86 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

DMG4N60SJ3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nHigh BVDSS Rating for Power Application\nLow Input/Output Leakage\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;

Diodes

美台半导体

DMG6601LVT-7

DIODES

美台半导体

上传:深圳市华高宇电子有限公司

DMH

DIP

DAITO大东/FANUC发那科

上传:深圳市英博尔电子有限公司

DAITO大东/FANUC发那科

技术参数

  • AutomotiveCompliantPPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESDDiodes:

    No

  • VDS:

    600V

  • VGS:

    30±V

  • IDS@TA=+25°C:

    N/AA

  • PD@TA=+25°C:

    N/AW

  • RDS(ON)Max@VGS(10V):

    3000mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V):

    N/AmΩ

  • VGS(th)Max:

    4.5V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC):

    N/AnC

  • QGTyp@VGS=10V(nC):

    14.3nC

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更多DMG4N60SJ3供应商 更新时间2026-2-2 11:22:00