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DMG4N60SCT	文件：326.2 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：326.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4N60SCT	文件：304.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：304.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMG4N60SCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nHigh BVDSS Rating for Power Application\nLow Input/Output Leakage\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG4N60-TR	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：2.51249 Mbytes 页数：10 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
DMG4N60-TU	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：2.51249 Mbytes 页数：10 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
DMK4N60-TU	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：2.51249 Mbytes 页数：10 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
No
Polarity：
N
ESDDiodes：
No
VDS：
600V
VGS：
30±V
IDS@TA=+25°C：
N/AA
PD@TA=+25°C：
N/AW
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
2500mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
4.5V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
N/AnC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
14.3nC

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