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DMG4812SSS	文件：160.43 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE 文件：160.43 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4812SSS-13	文件：160.43 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE 文件：160.43 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4812SSS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate\nresistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes
L4812	文件：138.13 Kbytes Page：7 Pages	VERY LOWDROP VOLTAGE REGULATORS DESCRIPTION L4800 series devices are voltage regulators with a very low voltage drop (typically 0.4V at full rated current), output current up to 400mA, low quiescent current and comprehensiveon-chip protection.The se devices are protected against load dump and field decay transients of±60V, pola 文件：138.13 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L4812CV	文件：138.13 Kbytes Page：7 Pages	VERY LOWDROP VOLTAGE REGULATORS DESCRIPTION L4800 series devices are voltage regulators with a very low voltage drop (typically 0.4V at full rated current), output current up to 400mA, low quiescent current and comprehensiveon-chip protection.The se devices are protected against load dump and field decay transients of±60V, pola 文件：138.13 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L4812CX	文件：138.13 Kbytes Page：7 Pages	VERY LOWDROP VOLTAGE REGULATORS DESCRIPTION L4800 series devices are voltage regulators with a very low voltage drop (typically 0.4V at full rated current), output current up to 400mA, low quiescent current and comprehensiveon-chip protection.The se devices are protected against load dump and field decay transients of±60V, pola 文件：138.13 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
OnRequest*
Config/Polarity：
N+Schottky
ESDDiodes：
NoY/N
VDS：
30V
VGS：
12±V
IDS@TA=+25°C：
8A
PD@TA=+25°C：
1.54W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
15mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
18.5mΩ
CISSTyp@VDS=15V：
1849pF
QGTyp@VGS=10V：
43pF

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