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DMG4413LSS	文件：90.78 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed 文件：90.78 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4413LSS-13	文件：90.78 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed 文件：90.78 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4413LSSQ	文件：246.57 Kbytes Page：5 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Note 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Available (Note 4) Applications • Backli 文件：246.57 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4413LSSQ-13	文件：246.57 Kbytes Page：5 Pages	丝印：P4413LS；Package：SO-8；30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Note 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Available (Note 4) Applications • Backli 文件：246.57 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4413LSS_15	文件：219.17 Kbytes Page：5 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：219.17 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4413LSS	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state\nresistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
OnRequest*
Polarity：
P
ESDDiodes：
No
VDS：
30V
VGS：
20±V
IDS@TA=+25°C：
10.5A
PD@TA=+25°C：
2.5W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
7.5mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
10.2mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
2.1mΩ
VGS(th)Max：
46V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
N/AnC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
N/AnC

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