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DMG4407SSS	文件：205.09 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：205.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4407SSS_15	文件：205.09 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4407SSS-13	文件：205.09 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：205.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4407SSS	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V P channel enhancement mode MOSFETLow RDS(ON) - minimizes conduction losses diode switching\n lossesLow gate capacitance (Qg/Qgs) ratio – reduces risk\n of shootthrough or cross conduction currents at high frequenciesAvalanche rugged – IAR and EAR rated	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
OnRequest*
Polarity：
P
ESDDiodes：
Yes
VDS：
30V
VGS：
25±V
IDS@TA=+25°C：
12.5A
PD@TA=+25°C：
1.45W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
13mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
14mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
3mΩ
VGS(th)Max：
20.5V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
41nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
N/AnC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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