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DMG3N60SJ3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:442.36 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMG3N60SJ3

丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.08 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

DMG3N60SJ3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nHigh BVDSS Rating for Power Application\nLow Input/Output Leakage\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;

Diodes

美台半导体

DMG4800LK3-13

TO-252

DIODES

美台半导体

上传:深圳市华来深电子有限公司

DMG6601LVT-7

DIODES

美台半导体

上传:深圳市华高宇电子有限公司

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    600 V

  • VGS:

    30 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    N/A A

  • PD @ TA = +25°C:

    49 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    3500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    12.6 nC

  • Packages:

    TO251 (Type TH)

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更多DMG3N60SJ3供应商 更新时间2026-2-3 9:08:00