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DMG3N60SCT	文件：495.72 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：495.72 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3N60SCT	文件：305.16 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMG3N60SCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nHigh BVDSS Rating for Power Application\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG3N60-TU	文件：2.13901 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：2.13901 Mbytes 页数：8 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
DMK3N60-TU	文件：2.13901 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：2.13901 Mbytes 页数：8 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
DMP3N60-TU	文件：2.13901 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：2.13901 Mbytes 页数：8 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
600 V
VGS：
30 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
57 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.6 nC
Packages：
TO220AB (Type TH)

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