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DMG3420UQ	文件：462.89 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  PPAP Capable (Note 4 文件：462.89 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3420UQ-7	文件：462.89 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G31；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  PPAP Capable (Note 4 文件：462.89 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3420UQ-7	文件：213.05 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：213.05 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3420UQ-7	文件：508.75 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3420UQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.4 A
PD @ TA = +25°C：
0.74 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
29 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
48 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
91 mΩ
VGS(th) Min. (V)：
0.5 V
VGS (th) Max：
1.2 V
CISS Typ：
434 pF
CISS Condition [@VDS]：
10 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.4
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMG3420UQ供应商更新时间2026-1-28 15:01:00

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