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DMG3415UFY4_15	文件：191.45 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：191.45 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3415UFY4Q	文件：382.19 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：382.19 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3415UFY4Q-7	文件：382.19 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：382.19 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3415UQ-7	文件：222.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：222.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3415UQ-7	文件：577.86 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：577.86 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3415UFY4Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected Up To 3kV;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG3415U	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG3415UFY4	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG3415U-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH DFN-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
DMG3415UFY4Q
Polarity：
P
ESDDiodes：
Yes
VDS：
16V
VGS：
8±V
IDS@TA=+25°C：
2.5A
PD@TA=+25°C：
0.49W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
39mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
52mΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
65mΩ
VGS(th)Max：
1V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
10nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
N/AnC

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