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DMG3401LSNQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation Small-Signal enhancement mode MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for highefficiency power management applications. •Low Input Capacitance\n•Low Input/Output Leakage\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•PPAP (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.7 A
PD @ TA = +25°C：
0.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
60 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
85 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
11.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
25.1 nC
Packages：
SC59

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