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DMG2302UK	文件：616.4 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：616.4 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302UKQ	文件：507.48 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable (Note 4) 文件：507.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302UKQ-13	文件：507.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：22K；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable (Note 4) 文件：507.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302UKQ-7	文件：507.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：22K；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable (Note 4) 文件：507.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302UK	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG2302UK-7-ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	ElecSuper 静芯	ElecSuper
DMG2302UKQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMG2302UKQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.8 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
90 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
120 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
1.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
2.8 nC
Packages：
SOT23

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