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DMG1023UVQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Dual P-Channel MOSFET\n•Low On-Resistance\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.03 A
PD @ TA = +25°C：
0.53 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
750 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1050 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1500 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.62 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

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