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DMG1013UWQ	文件：326.17 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 文件：326.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013UWQ-13	文件：326.17 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 文件：326.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013UWQ-7	文件：326.17 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 文件：326.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013UWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
-20 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
-0.82 A
PD @ TA = +25°C：
0.31 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
750 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1050 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1500 mΩ
VGS (th) Max：
-1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.622 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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