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DMC3028LSDXQ	文件：490.36 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：490.36 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3028LSDXQ-13	文件：490.36 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：490.36 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3028LSDXQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3028LQ	文件：2.52747 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The DMN3028LQ uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 30V ID =4.2A RDS(ON) 文件：2.52747 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DMP3028LFDE	文件：440.74 Kbytes Page：6 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：440.74 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3028LPSQ	文件：547.02 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：547.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.2
PD @ TA = +25°C：
1.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
27
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.2
Packages：
SO-8

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