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DMC3025LSD	文件：3.76278 Mbytes Page：10 Pages	N&P-Channel Complementary MOSFET General Features «+ N-Channel © Vos=30V. o=B.0A Rosny =17m0@ Vos=10V Rosco =24m0@Vos=4 5V + P-Channel * Vos=-30V,Ip=-6A Rosn =40mQ @Ves=-10V Rosco =60mQ @Vos=-45V «High Power and current handing capabilly «Lead ree products acquired « Surace Mount Package Application 文件：3.76278 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMC3025LSD	文件：350.78 Kbytes Page：10 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：350.78 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3025LSD_15	文件：350.78 Kbytes Page：10 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：350.78 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3025LSDQ	文件：524.4 Kbytes Page：11 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：524.4 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3025LSDQ-13	文件：524.4 Kbytes Page：11 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：524.4 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3025LSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V N + P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to DC FAN , Battery packing and other power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMC3025LSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMC3025LSDQ
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.5
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
32
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.6
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
9.8
Packages：
SO-8

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