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DMC3025LSD	文件：3.76278 Mbytes Page：10 Pages	N&P-Channel Complementary MOSFET General Features «+ N-Channel © Vos=30V. o=B.0A Rosny =17m0@ Vos=10V Rosco =24m0@Vos=4 5V + P-Channel * Vos=-30V,Ip=-6A Rosn =40mQ @Ves=-10V Rosco =60mQ @Vos=-45V «High Power and current handing capabilly «Lead ree products acquired « Surace Mount Package Application 文件：3.76278 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMC3025LSD	文件：350.78 Kbytes Page：10 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：350.78 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMC3025LSDQ-13	文件：524.4 Kbytes Page：11 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：524.4 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3025LSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V N + P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to DC FAN , Battery packing and other power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes

更多DMC3025LSD供应商更新时间2025-10-6 17:06:00