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DMC2710UVQ	文件：848.04 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage N-Channel: VGS(TH) 文件：848.04 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2710UVQ-13	文件：848.04 Kbytes Page：11 Pages	丝印：HX8；Package：SOT563；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage N-Channel: VGS(TH) 文件：848.04 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2710UVQ-7	文件：848.04 Kbytes Page：11 Pages	丝印：HX8；Package：SOT563；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage N-Channel: VGS(TH) 文件：848.04 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2710UVQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
N+P
N)：
Yes
(V)：
20
(±V)：
6
@TA = +25°C (A)：
1.1
PD @TA = +25°C (W)：
0.8 W
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
400
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)：
500
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)：
700
Min (V)：
0.5
Max (V)：
1
= 4.5V (nC)：
0.6
CISS Typ (pF)：
42
(V)：
16 V
Packages：
SOT563

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更多DMC2710UVQ供应商更新时间2025-10-13 14:09:00

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