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DMC2450UV	文件：477.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：477.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2450UV-13	文件：477.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：477.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2450UV-7	文件：477.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：477.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2450UV	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage VGS(th) <1V\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nComplementary Pair MOSFET\nUltra-Small Surface Mount Package\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.03
PD @ TA = +25°C：
1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
500
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
700
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
900
VGS (th) Max：
0.9
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

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