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DMC1029UFDB	文件：583 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control Applications Load Switch Power Managemen 文件：583 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1029UFDB-13	文件：583 Kbytes Page：11 Pages	丝印：2D；Package：U-DFN2020-6；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control Applications Load Switch Power Managemen 文件：583 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1029UFDB-7	文件：583 Kbytes Page：11 Pages	丝印：2D；Package：U-DFN2020-6；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control Applications Load Switch Power Managemen 文件：583 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1029UFDB_15	文件：383.12 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.12 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1029UFDB-13	文件：383.12 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.12 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1029UFDB-7	文件：383.12 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.12 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1029UFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.6
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
29
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
34
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
44
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
10.5
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

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