DMB530说明书PDF资料批发采购飞利浦第9页-114ic电子网

首页 >DMB530>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IRF530NLPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NLPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NPBF	文件：189.55 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NPBF	文件：188.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NPBF	文件：972.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF530NS	文件：1.01006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF530NS	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NS	文件：1.5565 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530NS	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NS	文件：189.19 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530NSPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSTRLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSTRRPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamicdv/dtRating,FastSwitching,EaseofParalleling,SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530PBF	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	DMB530	L-COM	新		12	全新原装货期两周	询价
深圳兆威电子有限公司	DMB53D0UDW	DIODES/美台	22+	SOT363	90000	正规代理渠道假一赔十	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	DMB53D0UDW	DIODES/美台	23+	SOT363	98000	原装现货假一罚十	询价
艾睿国际（香港）有限公司	DMB53D0UDW	DIODES/美台	2021+	SOT26	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市能创芯电子科技有限公司	DMB53D0UDW	DIODES/美台	23+	SOT363	12000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	DMB53D0UDW	DIODES/美台	23+	SOT363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	DMB53D0UDW		DIODES	SOT363	68900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	DMB53D0UDW	DIODES	12+	SOT-363	1450	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	DMB53D0UDW	DIODES/美台	22+	SOT363	30000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
深圳市特莱科技有限公司	DMB53D0UDW	DIODES美台	24+23+	SOT363	12580	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价

更多DMB530供应商更新时间2024-5-31 16:06:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Fax：+86-755-8246-9263-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号