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DH020N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	WXDH 东海半导体	WXDH
DH020N03Z29	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	WXDH 东海半导体	WXDH
G020N03K	文件：887.18 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G020N03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：887.18 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G020N03T	文件：1.01221 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G020N03T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.01221 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
NTLUS020N03C	文件：205.8 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??Power, Single, N-Channel, Cool, UDFN6, 1.6x1.6x0.55 mm 30 V, 13 m, 8.2 A 文件：205.8 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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深圳市钧敏科技有限公司	DH020N03	东海半导体	21+	TO-220C	2400000	产品说明： 210A 30V N-通道增强模式电源MOSFET-DH020N03/DHF020N03/DHI020N03/ DHE020N03/DHB020N03/DHD020N03增强的vdmosfet，采用了先进的沟槽技术设计，提供了优良的Rdson和低门电荷。这符合RoHS的标准。特点和功能 ● 快速切换 ● 低导通电阻（Rdson≤2.0mΩ）	询价
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