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DGD2103M集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

DGD2103M
厂商型号

DGD2103M

参数属性

DGD2103M 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

功能描述

HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

897.23 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 18:15:00

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DGD2103M规格书详情

Features

Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 600V

Drives Two N-Channel MOSFETs or IGBTs in a Half-Bridge

Configuration

Designed for Enhanced Performance in Noisy Motor Applications

290mA Source/600mA Sink Output Current Capability

Outputs Tolerant to Negative Transients

Internal Dead Time of 420ns to Protect MOSFETs

Wide Low-Side Gate Driver Supply Voltage: 10V to 20V

Logic Input (HIN and LIN*) 3.3V Capability

Schmitt Triggered Logic Inputs

Undervoltage Lockout for VCC (Logic and Low Side Supply)

Extended Temperature Range: -40°C to +125°C

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

For automotive applications requiring specific change

control

Applications

DC-DC Converters

DC-AC Inverters

AC-DC Power Supplies

Motor Controls

Class D Power Amplifiers

产品属性

  • 产品编号:

    DGD2103MS8-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    70ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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