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DGD2012S8-13中文资料PDF规格书
厂商型号 |
DGD2012S8-13 |
参数属性 | DGD2012S8-13 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K |
功能描述 | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER |
文件大小 |
497.02 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
中文名称 | 达尔科技官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-1 13:56:00 |
产品属性
- 产品编号:
DGD2012S8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.9A,2.3A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
40ns,20ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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