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DF150R12RT4

34mm Module with Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

DF150R12RT4

34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

DF150R12RT4_13

34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

DF150R12RT4HOSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 150A 790W

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

FD150R12RT4

34mmModulewithfastTrench/FeldstoppIGBT4andEmitterControlled4diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

FF150R12RT4

英飞凌IGBTFF150R12RT4

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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FF150R12RT4

34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

FF150R12RT4

34mmModulewithfastTrench/FeldstoppIGBT4andEmitterControlled4diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    DF150R12RT4

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 150A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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Infineon/英飞凌
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AG-34MM-1
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更多DF150R12RT4供应商 更新时间2025-7-24 16:51:00