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DF150R12RT4分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

DF150R12RT4
厂商型号

DF150R12RT4

参数属性

DF150R12RT4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 150A 790W

功能描述

34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
IGBT MOD 1200V 150A 790W

封装外壳

模块

文件大小

649.28 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 16:01:00

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DF150R12RT4规格书详情

DF150R12RT4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的DF150R12RT4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DF150R12RT4HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    单斩波器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,150A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 150A 790W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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