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DAP222FH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diodes (支持 AEC-Q101) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •超小型塑胶型(EMD3)。\n•高可靠性。;	ROHM 罗姆	ROHM
DAP222G	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes 文件：59.48 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DAP222G	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes These Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. The DAP222 device is housed in the SC−75/SOT−416 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. The DAP202U device is hou 文件：64.9 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DAP222M	文件：63.89 Kbytes Page：4 Pages	Ultra high speed switching Features 1) Four types of packaging are available. 2) High speed. (trr=1.5ns Typ.) 3) Suitable for high packing density layout. 4) High reliability. Application Ultra high speed switching 文件：63.89 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

封装：
EMD3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
A-Common
Package Code：
SOT-416
Package(JEITA)：
SC-75A
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
3
VRM[V]：
80
Reverse Voltage VR[V]：
80
Average Rectified Forward Current IO[A]：
0.1
IFM[A]：
0.3
Isurge[mA]：
4000
Forward Voltage VF[V]：
1.2
IF @ Forward Voltage [mA]：
100
Reverse Current IR[µA]：
0.1
VR @ Reverse Current [V]：
70
trr[ns]：
4
IF @ trr [mA]：
5
VR @ trr[V]：
6
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.8)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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