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D5V0Q1B2CSP	文件：393.97 Kbytes Page：5 Pages	LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE 文件：393.97 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
D5V0Q1B2CSP-7	文件：393.97 Kbytes Page：5 Pages	LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE 文件：393.97 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
D5V0Q1B2CSP	文件：300 bytes Page：1 Pages	LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE This new generation TVS is designed to protect sensitive electronics from the damage due to ESD. The combination of small size and high ESD surge capability makes it ideal for use in portable applications such as cellular phones, digital cameras, and MP3 players. Excellent Clamping Capability\nLow capacitance is 0.55pF typ\nSuperior ESD protection exceeding +/-14kV(Contact) per IEC61000-4-2 \nPeak pulse surge current Ipp up to 3A\nLead Free Finish/RoHS Compliant;	Diodes 美台半导体	Diodes
D5V0Q1B2CSP-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.5VWM 8.4VC DSN0603-2	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Configuration：
Single (Bi-Directional)
Channel Input Capacitance CT Typ：
0.55 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM：
5.5 V
Breakdown Voltage VBR Min：
6 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max：
0.001 µA
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20μs Max：
4 A
Maximum Clamping Voltage @ Max Peak Pulse Current VC：
14 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge：
14 kV
Packages：
X2-DSN0603-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多D5V0Q1B2CSP供应商更新时间2025-10-8 8:31:00

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