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KSH44H11TF	文件：46.83 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposePowerandSwitching Description Designedforgeneral-purposepowerandswitching,suchasoutputordriverstagesinapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE44H •FastSwitchingSpeeds •LowCollec	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH44H11TF	文件：168.95 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Designedforgeneral-purposepowerandswitching,suchasoutputordriverstagesinapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE44H •FastSwitchingSpeeds •LowCollec	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH44H11TM	文件：168.95 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Designedforgeneral-purposepowerandswitching,suchasoutputordriverstagesinapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE44H •FastSwitchingSpeeds •LowCollec	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJB44H11	文件：242.51 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB44H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
D44H11FP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
TRANS NPN 80V 10A TO220FP

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