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D3V3M2B3SO	文件：381.66 Kbytes Page：5 Pages	2 CHANNEL ESD PROTECTION DIODE Features  Low Clamping Voltage  Bi-Directional ESD Protection of Two Line  Max. Peak Pulse Power: PPP = 180W at tp = 8/20μs  Max. Peak Pulse Current: IPP = 20A at tp = 8/20μs  IEC 61000-4-2, > 27kV (Air); > 27kV (Contact)  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halog 文件：381.66 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
D3V3M2B3SO-7	文件：381.66 Kbytes Page：5 Pages	丝印：RC3；Package：SOT23；2 CHANNEL ESD PROTECTION DIODE Features  Low Clamping Voltage  Bi-Directional ESD Protection of Two Line  Max. Peak Pulse Power: PPP = 180W at tp = 8/20μs  Max. Peak Pulse Current: IPP = 20A at tp = 8/20μs  IEC 61000-4-2, > 27kV (Air); > 27kV (Contact)  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halog 文件：381.66 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
D3V3M2B3SO	文件：300 bytes Page：1 Pages	2 CHANNEL ESD PROTECTION DIODE Designed to protect sensitive semiconductor components from damage or upset due to electrostatic discharge (ESD), lightning, electrical fast transients (EFT), and cable discharge events (CDE).	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max：
20
AEC Qualified：
Yes
Configuration：
Bidirectional
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF)：
110 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V)：
3.3 V
Breakdown VoltageVBR Min(V)：
2.8 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(µA)：
0.5 µA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V)：
9 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV)：
27 kV
Packages：
SOT23

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