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D2053UK	文件：20.24 Kbytes Page：2 Pages	METAL GATE RF SILICON FET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom1MHzto1GH	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DK2053	文件：1.64769 Mbytes Page：36 Pages	HIGHPERFORMANCEFRACTIONAL-NSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDRFMIXER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
DK2053WB	文件：1.64769 Mbytes Page：36 Pages	HIGHPERFORMANCEFRACTIONAL-NSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDRFMIXER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
DMC2053UFDB	文件：579.24 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2053UFDBQ	文件：554.6 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) TheDMC2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspecificcha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2053UVT	文件：560.38 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2053UVTQ	文件：509.31 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMC2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053U	文件：513.159 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDB	文件：481.73 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDBQ	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •PCBFootprintof4mm2 •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •LowProfile,0.6mmMaximumHeight •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheDMN2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequirin	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
D2053UK
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
METAL GATE RF SILICON FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多D2053UK供应商更新时间2025-6-13 16:09:00

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