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IDH16G65C5	文件：1.1745 Mbytes Page：11 Pages	Marking：D1665C5；Package：PG-TO220-2；SiC Silicon Carbide Diode 1Description ThinQ!™Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.TheInfineonproprietarydiffusionsolderingprocess, alreadyintroducedwithG3isnowcombinedwithanew,morecompactdesignand thin-wafertechnology.Theresultisanewfa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDH16G65C5	文件：1.1745 Mbytes Page：11 Pages	Marking：D1665C5；Package：PG-TO220-2；5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode 1Description ThinQ!™Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.TheInfineonproprietarydiffusionsolderingprocess, alreadyintroducedwithG3isnowcombinedwithanew,morecompactdesignand thin-wafertechnology.Theresultisanewfa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDK16G120C5	文件：1.07298 Mbytes Page：12 Pages	Marking：D1612C5；Package：PG-TO263-2；5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehaviour Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature Tightforwardvoltagedistribution Excellentthermalperformance 	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
KSD1691	文件：1.1107 Mbytes Page：3 Pages	Marking：D1691；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage&Large CollectorCurrent HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KSD1691-TU	文件：1.1107 Mbytes Page：3 Pages	Marking：D1691；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage&Large CollectorCurrent HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PJD16N06A_L2_00001	文件：464.2 Kbytes Page：8 Pages	Marking：D16N06A；Package：TO-252AA；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@8A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD16N06A-AU_L2_000A1	文件：431.14 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D16N06A；Package：TO-252AA；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@8A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD16P04_L2_00001	文件：594.43 Kbytes Page：6 Pages	Marking：D16P04；Package：TO-252AA；40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD16P04-AU_L2_000A1	文件：633.76 Kbytes Page：6 Pages	Marking：D16P04；Package：TO-252AA；40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD16P06A-AU_L2_000A1	文件：379.5 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D16P06A；Package：TO-252AA；60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-8A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
D16
制造商：
Micro-Star International
功能描述：
16X DVD-ROM IDE INTERNAL - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	D16	ROHM/罗姆	24+	NA/	425	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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更多D16供应商更新时间2025-7-14 13:53:00

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