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2SD1733	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1733；Package：SOT-428；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：89.47 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1733	文件：112.31 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1733；Package：SOT-428；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：112.31 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1733	文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D1733；Package：SOT-428；Power Transistor (80V, 1A) 文件：96.42 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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晶体管资料

型号：
2SD1733(F5)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4143,2SD1074,2SD1075,2SD1283,2SD1284,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
120
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
10

详细参数

型号：
D1733
功能描述：
两极晶体管 - BJT DVR NPN 80V 1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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