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D12N06M

Super trench MOSFET

Jingheng

晶恒

EMB12N06CS

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:230.11 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB12N06G

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:183.66 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMD12N06A

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 48A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:224.31 Kbytes 页数:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

技术参数

  • Ch:

    N

  • Vds(V):

    60

  • Id(A):

    12

  • Pd(W):

    32.5

  • Vgs(MAX)(V):

    ±20

  • Vth(Min)(V):

    1.0

  • Vth(Max)(V):

    2.0

  • RDS(on)(typ)(Ω)@10V:

    0.056

  • Qg(typ)(nc)@4.5V:

    6

  • Ciss(typ)(pF):

    247

  • OUTLINE:

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更多D12N06M供应商 更新时间2026-3-12 14:00:00