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D1050N18T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n优势:\n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D1050N18TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AB，B-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.8KV 1050A	Infineon 英飞凌	Infineon
D110280	文件：0 bytes Page：0 Pages	ITT N/A	ITT 上传：深圳市新思迈科技有限公司	ITT
D1213A-01W-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT323	DIODES 美台半导体上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	DIODES
D121K20B	文件：0 bytes Page：0 Pages	英飞凌	英飞凌上传：深圳市铭威达电子科技有限公司	英飞凌

技术参数

IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin：
1050/130
Housing：
Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
Configuration：
Rectifier Diodes
VF/IF[V/kA] @Tvj max：
1.76/5.0
VT0[V] @Tvj max max：
0.81
rT[mΩ] @Tvj max max：
0.17
Tvj[°C] max：
180
RthJC[K/kW] @180° el sin max：
38
Clamping force[kn] min：
10
Clamping force[kn] max：
24

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