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CYDM256B16-55BVXI	文件：571.77 Kbytes Page：24 Pages	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM 文件：571.77 Kbytes 页数：24 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CYDM256B16-55BVXI	文件：548.92 Kbytes Page：24 Pages	1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL짰 Dual-Port Static RAM 文件：548.92 Kbytes 页数：24 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
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CYDM256B16-55BVXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Other Memories - MoBL Dual-Ports - MoBL™ Dual-Port	Infineon 英飞凌	Infineon
CYDM256B16-55BVXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CYDM256B16-55BVXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Other Memories - MoBL Dual-Ports - MoBL™ Dual-Port	Infineon 英飞凌	Infineon
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产品属性

产品编号：
CYDM256B16-55BVXI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
MoBL®
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，MoBL
存储容量：
256Kb（16K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V，2.4V ~ 2.6V，2.7V ~ 3.3V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-VFBGA
供应商器件封装：
100-VFBGA（6x6）
描述：
IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA

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